SiC模塊的特征與電路構(gòu)成

SiC 模塊內(nèi)置的功率半導(dǎo)體元件全部由SiC構(gòu)成，與Si(硅)材質(zhì)的IGBT模塊相比，可大幅降低開(kāi)關(guān)損耗。 內(nèi)置SiC-SBD、SiC-MOSFET，與傳統(tǒng)的Si-IGBT相比，在100KHｚ以上的高頻環(huán)境下工作成為可能。
4.1 SiC 模塊的特征
現(xiàn)在，針對(duì)大電流的功率模塊中廣泛應(yīng)用的主要是由Si 的IGBT 和FRD 組成的IGBT 模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始推出搭載了SiC‐MOSFET 和SiC‐SBD 的功率模塊。由IGBT 的尾電流和FRD 的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)切換為SiC 功率模塊可以明顯地減少，因此具有以下效果：
1. 開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化、水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化）
2. 工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）
主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。文章來(lái)源：http://www.oldschoolsausage.com/js/157.html
4.2 電路構(gòu)成
現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC 功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1 類型的模塊，分為由SiC MOSFET+ SiC SBD 構(gòu)成的類型和只由SiC MOSFET 構(gòu)成的類型這兩種，請(qǐng)根據(jù)用途進(jìn)行選擇。 模塊外觀如下圖： SiC 功率模塊電路圖（半橋電路）
■SiC‐MOSFET + SiC‐SBD 組成 ■SiC‐MOSFET 組成